maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYVB32-200-E3/45
Référence fabricant | BYVB32-200-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-BYVB32-200-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYVB32-200-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 18A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVB32-200-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYVB32-200-E3/45-FT |
V20DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM60CLHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation