maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYVB32-100HE3/81
Référence fabricant | BYVB32-100HE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-BYVB32-100HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYVB32-100HE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 18A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVB32-100HE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYVB32-100HE3/81-FT |
VS-MBRB3030CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
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5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel