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Référence fabricant | BYV54V-200 |
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Numéro de pièce future | FT-BYV54V-200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV54V-200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ISOTOP |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV54V-200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV54V-200-FT |
SRS10100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS10150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1030HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1040HMNG
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SRS1050HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1060HMNG
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MBRS10100CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100CTHMNG
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BAT54S RFG
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XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
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A40MX04-2PLG68
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A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel