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Référence fabricant | BYV541V-200 |
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Numéro de pièce future | FT-BYV541V-200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV541V-200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ISOTOP |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV541V-200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV541V-200-FT |
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS10100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS10150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1030HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1040HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1050HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation