maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYV32E-200,127
Référence fabricant | BYV32E-200,127 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BYV32E-200,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV32E-200,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32E-200,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV32E-200,127-FT |
RB085T-40
Rohm Semiconductor
RB085T-90
Rohm Semiconductor
RF2001T3D
Rohm Semiconductor
RFN10T2D
Rohm Semiconductor
RF1601T2D
Rohm Semiconductor
RB088T150FH
Rohm Semiconductor
RB085T-60
Rohm Semiconductor
RF1001T2D
Rohm Semiconductor
RB095T-90
Rohm Semiconductor
RB095T-40
Rohm Semiconductor
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
XC4044XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel