maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYV32E-100,127
Référence fabricant | BYV32E-100,127 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BYV32E-100,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV32E-100,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32E-100,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV32E-100,127-FT |
RB225T-60
Rohm Semiconductor
RB085T-40
Rohm Semiconductor
RB085T-90
Rohm Semiconductor
RF2001T3D
Rohm Semiconductor
RFN10T2D
Rohm Semiconductor
RF1601T2D
Rohm Semiconductor
RB088T150FH
Rohm Semiconductor
RB085T-60
Rohm Semiconductor
RF1001T2D
Rohm Semiconductor
RB095T-90
Rohm Semiconductor
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel