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Référence fabricant | BYV32-200G |
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Numéro de pièce future | FT-BYV32-200G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
BYV32-200G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32-200G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV32-200G-FT |
MBR6045PT
Diodes Incorporated
MBR6045PT-F
Diodes Incorporated
MBRA3045NTU
ON Semiconductor
RHRA1560CC
ON Semiconductor
SBL1630PT
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SBL1635PT
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SBL1645PT
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SBL1650PT
Diodes Incorporated
SBL1660PT
Diodes Incorporated
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
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XC7S50-1FGGA484C
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XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
Microchip Technology
5SGXMB5R2F43C3N
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XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
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EP4SGX230DF29C3NES
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