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Référence fabricant | BYV30X-600PQ |
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Numéro de pièce future | FT-BYV30X-600PQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV30X-600PQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.55V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV30X-600PQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV30X-600PQ-FT |
AS3BGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-13-G
Diodes Incorporated
B240-13-G-84
Diodes Incorporated
B240A-13-02-F
Diodes Incorporated
B340A-13-03-F
Diodes Incorporated
B340A-13-F-81
Diodes Incorporated
B340A-13-G-72
Diodes Incorporated
B340LB-13-G
Diodes Incorporated
B360-13-G
Diodes Incorporated
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel