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Référence fabricant | BYV30JT-600PQ |
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Numéro de pièce future | FT-BYV30JT-600PQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV30JT-600PQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 65ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV30JT-600PQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV30JT-600PQ-FT |
AS3BG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-13-G
Diodes Incorporated
B240-13-G-84
Diodes Incorporated
B240A-13-02-F
Diodes Incorporated
B340A-13-03-F
Diodes Incorporated
B340A-13-F-81
Diodes Incorporated
B340A-13-G-72
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel