maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYV29X-600AQ
Référence fabricant | BYV29X-600AQ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BYV29X-600AQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV29X-600AQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV29X-600AQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV29X-600AQ-FT |
AS3BD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-13-G
Diodes Incorporated
B240-13-G-84
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel