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Référence fabricant | BYV29G-600PQ |
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Numéro de pièce future | FT-BYV29G-600PQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV29G-600PQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 9A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK (TO-262) |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV29G-600PQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV29G-600PQ-FT |
APT30SCD65B
Microsemi Corporation
AS3BD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-13-G
Diodes Incorporated
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel