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Référence fabricant | BYV29B-600PJ |
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Numéro de pièce future | FT-BYV29B-600PJ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYV29B-600PJ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 9A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV29B-600PJ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYV29B-600PJ-FT |
APD360VPTR-G1
Diodes Incorporated
APD360VRTR-G1
Diodes Incorporated
APT30SCD65B
Microsemi Corporation
AS3BD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel