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Référence fabricant | BYT51J-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BYT51J-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYT51J-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-57, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-57 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYT51J-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYT51J-TAP-FT |
BYW172F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW172F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW172G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW172G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW178-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW72-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW72-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW73-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW73-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW74TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel