maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BYQ28EB-150-E3/81
Référence fabricant | BYQ28EB-150-E3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-BYQ28EB-150-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYQ28EB-150-E3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28EB-150-E3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYQ28EB-150-E3/81-FT |
VS-MBRB2080CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel