maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BYM600A170DN2HOSA1
Référence fabricant | BYM600A170DN2HOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BYM600A170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYM600A170DN2HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | 1400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM600A170DN2HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM600A170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
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APTGT75SK170D1G
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APTGT75SK60T1G
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APTGT75TA60PG
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APTGV100H60BTPG
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APTGV100H60T3G
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APTGV15H120T3G
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APTGV25H120BG
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484C
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XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
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EP1S20F484C7N
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5SGSED8K3F40C2L
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5SGXMA7N2F45I3N
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EP4SE530F43C2ES
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LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I3L
Intel