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Référence fabricant | BYM300B170DN2HOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BYM300B170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYM300B170DN2HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 40A |
Puissance - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 40µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM300B170DN2HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM300B170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
XC4010XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3FG484C
Xilinx Inc.
AFS600-FGG484
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M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
A3PN060-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
XC6VHX255T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.