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Référence fabricant | BYM300B170DN2HOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BYM300B170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYM300B170DN2HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 40A |
Puissance - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 40µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM300B170DN2HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM300B170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
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APTGT75SK120D1G
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APTGT75SK120T1G
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APTGT75SK170D1G
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APTGT75SK60T1G
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APTGV100H60BTPG
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APTGV100H60T3G
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APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4T144I
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M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
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EPF10K30AQC240-2N
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