maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYM12-300HE3/96
Référence fabricant | BYM12-300HE3/96 |
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Numéro de pièce future | FT-BYM12-300HE3/96 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
BYM12-300HE3/96 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacité @ Vr, F | 14pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM12-300HE3/96 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM12-300HE3/96-FT |
BYM11-50HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-600HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-600HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel