maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYM10-1000/1
Référence fabricant | BYM10-1000/1 |
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Numéro de pièce future | FT-BYM10-1000/1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
BYM10-1000/1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM10-1000/1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM10-1000/1-FT |
SS3P3HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P4-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P5-E3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P5-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P5HE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P5HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P6-E3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P6-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P6HE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P6HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel