maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYM07-100HE3_A/H
Référence fabricant | BYM07-100HE3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-BYM07-100HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
BYM07-100HE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 500mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AA (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AA (GL34) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM07-100HE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM07-100HE3_A/H-FT |
APD245VG-E1
Diodes Incorporated
APD245VG-G1
Diodes Incorporated
APD245VGTR-E1
Diodes Incorporated
APD245VGTR-G1
Diodes Incorporated
APD245VRTR-G1
Diodes Incorporated
APD260VD-E1
Diodes Incorporated
APD260VD-G1
Diodes Incorporated
APD260VDTR-G1
Diodes Incorporated
APD260VG-E1
Diodes Incorporated
APD260VG-G1
Diodes Incorporated
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel