maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYG24D-M3/TR
Référence fabricant | BYG24D-M3/TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYG24D-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BYG24D-M3/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 140ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG24D-M3/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG24D-M3/TR-FT |
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1K-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10YHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10YHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel