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Référence fabricant | BYG21MHR3G |
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Numéro de pièce future | FT-BYG21MHR3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG21MHR3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 120ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 13pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG21MHR3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG21MHR3G-FT |
SS215LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22LHR3G
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SS23L R3G
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Taiwan Semiconductor Corporation
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SS24L R3G
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Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
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LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
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EP3C55F780C7
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