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Référence fabricant | BYG21MHR3G |
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Numéro de pièce future | FT-BYG21MHR3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG21MHR3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 120ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 13pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG21MHR3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG21MHR3G-FT |
SS215LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS22LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS24LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS25L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel