maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYG10J-E3/TR
Référence fabricant | BYG10J-E3/TR |
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Numéro de pièce future | FT-BYG10J-E3/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG10J-E3/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10J-E3/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG10J-E3/TR-FT |
VS-3EJU06HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel