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Référence fabricant | BYG10D-E3/TR3 |
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Numéro de pièce future | FT-BYG10D-E3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYG10D-E3/TR3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10D-E3/TR3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYG10D-E3/TR3-FT |
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GHE3_A/I
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SS1H10-E3/61T
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B340A-E3/61T
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Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
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XC6SLX100-3FGG484I
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MPF300TLS-FCG1152I
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A3P030-1VQG100I
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Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
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LFE3-95E-7FN672C
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