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Référence fabricant | BYC30W-600PT2Q |
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Numéro de pièce future | FT-BYC30W-600PT2Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYC30W-600PT2Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.75V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 34ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYC30W-600PT2Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYC30W-600PT2Q-FT |
APD240VGTR-G1
Diodes Incorporated
APD245VD-E1
Diodes Incorporated
APD245VD-G1
Diodes Incorporated
APD245VDTR-E1
Diodes Incorporated
APD245VDTR-G1
Diodes Incorporated
APD245VG-E1
Diodes Incorporated
APD245VG-G1
Diodes Incorporated
APD245VGTR-E1
Diodes Incorporated
APD245VGTR-G1
Diodes Incorporated
APD245VRTR-G1
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel