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Référence fabricant | BYC30DW-600PQ |
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Numéro de pièce future | FT-BYC30DW-600PQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYC30DW-600PQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.3V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 33ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYC30DW-600PQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYC30DW-600PQ-FT |
APD240VGTR-E1
Diodes Incorporated
APD240VGTR-G1
Diodes Incorporated
APD245VD-E1
Diodes Incorporated
APD245VD-G1
Diodes Incorporated
APD245VDTR-E1
Diodes Incorporated
APD245VDTR-G1
Diodes Incorporated
APD245VG-E1
Diodes Incorporated
APD245VG-G1
Diodes Incorporated
APD245VGTR-E1
Diodes Incorporated
APD245VGTR-G1
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel