maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BULT106D
Référence fabricant | BULT106D |
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Numéro de pièce future | FT-BULT106D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BULT106D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 230V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 400mA, 2A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
Puissance - Max | 32W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-225AA, TO-126-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-32-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BULT106D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BULT106D-FT |
BC858B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC858C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSA1036CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSA884CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSC4505CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
TS13002ACT B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC337-16 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC337-25 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC337-40 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC338-16 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel