maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BULB128-1
Référence fabricant | BULB128-1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BULB128-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BULB128-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1A, 4A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 14 @ 2A, 5V |
Puissance - Max | 70W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BULB128-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BULB128-1-FT |
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2695,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2712-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2712-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1C3T144A8N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048H2F34E2LG
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
XC4VLX160-11FF1148I
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C6N
Intel