maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / BUK9MNN-65PKK,518
Référence fabricant | BUK9MNN-65PKK,518 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK9MNN-65PKK,518 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchPLUS |
BUK9MNN-65PKK,518 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 65V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.1A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.8 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Puissance - Max | 3.57W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 20-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9MNN-65PKK,518 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK9MNN-65PKK,518-FT |
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