maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK762R6-60E,118
Référence fabricant | BUK762R6-60E,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK762R6-60E,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK762R6-60E,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10170pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 324W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK762R6-60E,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK762R6-60E,118-FT |
BUK7635-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK763R8-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK764R0-55B,118
Nexperia USA Inc.
BUK765R2-40B,118
Nexperia USA Inc.
BUK9605-30A,118
Nexperia USA Inc.
BUK9608-55B,118
Nexperia USA Inc.
BUK9611-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK961R6-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9620-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R1-40E,118
Nexperia USA Inc.
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel