maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK7623-75A,118
Référence fabricant | BUK7623-75A,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK7623-75A,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7623-75A,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 53A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2385pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 138W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7623-75A,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK7623-75A,118-FT |
IRF530N,127
NXP USA Inc.
IRF540,127
NXP USA Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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