maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK752R3-40C,127
Référence fabricant | BUK752R3-40C,127 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK752R3-40C,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
BUK752R3-40C,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 175nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11323pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 333W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK752R3-40C,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK752R3-40C,127-FT |
PMPB16XN,115
NXP USA Inc.
PMPB20UN,115
NXP USA Inc.
PSMN027-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN5R6-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN022-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN013-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN034-100PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R8-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PHP23NQ11T,127
Nexperia USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
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5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
Intel