maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK724R5-30C,118
Référence fabricant | BUK724R5-30C,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK724R5-30C,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK724R5-30C,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3760pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 157W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK724R5-30C,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK724R5-30C,118-FT |
BUK7E13-60E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-100ES,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E4R6-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK6E2R0-30C,127
Nexperia USA Inc.
BUK6E2R3-40C,127
Nexperia USA Inc.
BUK6E3R2-55C,127
Nexperia USA Inc.
BUK6E3R4-40C,127
Nexperia USA Inc.
BUK6E4R0-75C,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E04-40A,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E07-55B,127
NXP USA Inc.
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel