maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / BU508AFTBTU
Référence fabricant | BU508AFTBTU |
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Numéro de pièce future | FT-BU508AFTBTU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BU508AFTBTU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 700V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 2A, 4.5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2.25 @ 4.5A, 5V |
Puissance - Max | 60W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3PF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BU508AFTBTU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BU508AFTBTU-FT |
KSD568RTU
ON Semiconductor
KSD568YTU
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KSD569OTU
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M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
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5SGXEA3K2F40C2N
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EP4SGX530HH35C3NES
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XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
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EP20K100QC240-1
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EP20K60EQI208-2X
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