maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / BU2008-M3/51
Référence fabricant | BU2008-M3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-BU2008-M3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BU2008-M3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, BU |
Package d'appareils du fournisseur | isoCINK+™ BU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BU2008-M3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BU2008-M3/51-FT |
VS-36MB80A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-36MB60A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-26MB20A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-26MB120A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-26MB40A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-36MB100A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-26MB05A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-36MB40A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-36MB20A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-26MB160A
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel