maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / BU2008-E3/51
Référence fabricant | BU2008-E3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-BU2008-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BU2008-E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, BU |
Package d'appareils du fournisseur | isoCINK+™ BU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BU2008-E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BU2008-E3/51-FT |
VS-GBPC3510A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC2510A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC2508A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC3506A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC3504A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC2506A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC2504A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC2502A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC601-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSIB1560\45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
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Intel
EP2AGZ225HF40I3N
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5SGXEA3K2F35I3L
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EP3SE80F1152I4L
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AT6005-4JI
Microchip Technology
EP20K200EQC208-1
Intel