maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / BU1006A-E3/51
Référence fabricant | BU1006A-E3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-BU1006A-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BU1006A-E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, BU |
Package d'appareils du fournisseur | isoCINK+™ BU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BU1006A-E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BU1006A-E3/51-FT |
EDF1DM/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC804PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC806PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC608PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC808PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC604PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC602PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC110
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC606PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC810PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel