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Référence fabricant | BTS282Z E3230 |
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Numéro de pièce future | FT-BTS282Z E3230 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TEMPFET® |
BTS282Z E3230 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 49V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Caractéristique FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | P-TO220-7-230 |
Paquet / caisse | TO-220-7 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS282Z E3230 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BTS282Z E3230-FT |
IPD85P04P407ATMA1
Infineon Technologies
IPD85P04P4L06ATMA1
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IPD90N10S406ATMA1
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IPD90N10S4L06ATMA1
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IPD90P04P405ATMA1
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IPD90P04P4L04ATMA1
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LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
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M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
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5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel