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Référence fabricant | BTS282ZE3230AKSA2 |
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Numéro de pièce future | FT-BTS282ZE3230AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TEMPFET® |
BTS282ZE3230AKSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 49V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Caractéristique FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-7-12 |
Paquet / caisse | TO-220-7 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS282ZE3230AKSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BTS282ZE3230AKSA2-FT |
IPA95R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN60R650CEXKSA1
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IPAN65R650CEXKSA1
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IPAN70R360P7SXKSA1
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IPAN70R600P7SXKSA1
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IPAN80R280P7XKSA1
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IPD95R450P7ATMA1
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IPD95R750P7ATMA1
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IRFI1310N
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
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AGLN030V2-ZVQG100I
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
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A42MX24-1TQG176
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APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
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EP20K1000CF33C7N
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