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Référence fabricant | BTS121ANKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BTS121ANKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TEMPFET® |
BTS121ANKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 95W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS121ANKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BTS121ANKSA1-FT |
IPP65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R190P6XKSA1
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SPP80P06PHXKSA1
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IPP075N15N3GXKSA1
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EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
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EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
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LCMXO2-7000HC-6BG256C
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LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE55F29C6
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