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Référence fabricant | BTS115ANKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BTS115ANKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TEMPFET® |
BTS115ANKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 50V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 7.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 735pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | P-TO220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS115ANKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BTS115ANKSA1-FT |
IPP052NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190CFDXKSA1
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IPP60R190P6XKSA1
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IPP030N10N5AKSA1
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IPP90R1K2C3XKSA1
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IPP17N25S3100AKSA1
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IPP70N10S312AKSA1
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IPP147N12N3GXKSA1
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LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
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AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel