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Référence fabricant | BTS113AE3064NKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BTS113AE3064NKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TEMPFET® |
BTS113AE3064NKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 40W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | P-TO220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS113AE3064NKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BTS113AE3064NKSA1-FT |
BTS244Z E3043
Infineon Technologies
BTS247ZE3043AKSA1
Infineon Technologies
IPP052NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
SPP80P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP030N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP17N25S3100AKSA1
Infineon Technologies
IPP072N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation