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Infineon Technologies BSZ0904NSIATMA1

Numéro de pièce MFG
BSZ0904NSIATMA1
quantité disponible
25330 Pièces
Prix de référence
USD 0.282152
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSZ0904NSIATMA1.pdf
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BSZ0904NSIATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSZ0904NSIATMA1
Numéro de pièce future FT-BSZ0904NSIATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSZ0904NSIATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1463pF @ 15V
Caractéristique FET Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-TSDSON-8-FL
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ0904NSIATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSZ0904NSIATMA1-FT

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