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Référence fabricant | BSZ0904NSIATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSZ0904NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSZ0904NSIATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Ta), 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1463pF @ 15V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 37W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8-FL |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0904NSIATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSZ0904NSIATMA1-FT |
IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R460CEXKSA1
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IPA80R600P7XKSA1
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IPAN60R650CEXKSA1
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A40MX02-VQG80M
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EX128-PTQG64
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EP4SGX530KF43C3
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A40MX04-3PLG44
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LFEC6E-5F256C
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EP2S60F1020C5
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