maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS816NW L6327
Référence fabricant | BSS816NW L6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BSS816NW L6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSS816NW L6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 3.7µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT323-3 |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS816NW L6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS816NW L6327-FT |
BSL207SP
Infineon Technologies
BSL207SPH6327XTSA1
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XC4005E-1PQ100C
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EP4S100G5F45I3
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A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
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5AGXBA3D6F31C6N
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