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Infineon Technologies BSS816NW L6327

Numéro de pièce MFG
BSS816NW L6327
quantité disponible
75210 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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BSS816NW L6327 Caractéristiques

Référence fabricant BSS816NW L6327
Numéro de pièce future FT-BSS816NW L6327
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSS816NW L6327 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 750mV @ 3.7µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 2.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-SOT323-3
Paquet / caisse SC-70, SOT-323
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS816NW L6327 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSS816NW L6327-FT

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