maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS225H6327FTSA1
Référence fabricant | BSS225H6327FTSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSS225H6327FTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSS225H6327FTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 Ohm @ 90mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 131pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT89 |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS225H6327FTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS225H6327FTSA1-FT |
IPI80N06S3-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3-07
Infineon Technologies
IPI80N06S3L-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3L-08
Infineon Technologies
IPI80N06S3L06XK
Infineon Technologies
IPI80N06S405AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S407AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S4L05AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S4L07AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N08S207AKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel