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Infineon Technologies BSS159NH6327XTSA1

Numéro de pièce MFG
BSS159NH6327XTSA1
quantité disponible
68090 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
SIPMOS® MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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BSS159NH6327XTSA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSS159NH6327XTSA1
Numéro de pièce future FT-BSS159NH6327XTSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SIPMOS®
BSS159NH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 230mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 26µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 44pF @ 25V
Caractéristique FET Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) 360mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-23-3
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS159NH6327XTSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSS159NH6327XTSA1-FT

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