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Référence fabricant | BSP296NH6433XTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSP296NH6433XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSP296NH6433XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 152.7pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP296NH6433XTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSP296NH6433XTMA1-FT |
IPU50R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU50R1K4CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU50R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU50R2K0CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU50R3K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU50R3K0CEBKMA1
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IPU50R950CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU50R950CEAKMA2
Infineon Technologies
IPU50R950CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU60R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation