maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / BSO215C
Référence fabricant | BSO215C |
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Numéro de pièce future | FT-BSO215C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSO215C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 246pF @ 25V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO215C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSO215C-FT |
IRF7754TRPBF
Infineon Technologies
IRF7755
Infineon Technologies
IRF7755GTRPBF
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IRF7755TR
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IRF7756TR
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A54SX16P-1TQ144
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XC6SLX25-N3FTG256I
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A3PE600-FG484I
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A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
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A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
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