maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / BSO211PHXUMA1
Référence fabricant | BSO211PHXUMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSO211PHXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSO211PHXUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1095pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.6W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | PG-DSO-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO211PHXUMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSO211PHXUMA1-FT |
NX1029X,115
Nexperia USA Inc.
PMDT290UCE,115
Nexperia USA Inc.
BSS84AKV,115
Nexperia USA Inc.
PMDT290UNE,115
Nexperia USA Inc.
NX3008NBKV,115
Nexperia USA Inc.
NX3008PBKV,115
Nexperia USA Inc.
NX3008CBKV,115
Nexperia USA Inc.
PMDT670UPE,115
Nexperia USA Inc.
2N7002PV,115
Nexperia USA Inc.
PMCPB5530X,115
Nexperia USA Inc.
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208A
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD3E2H29I3L
Intel
EP2AGX125DF25I5N
Intel
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
EP1S25F1020C6
Intel