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Infineon Technologies BSO203PNTMA1

Name: BSO203PNTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO203PNTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (301 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSO203PNTMA1

quantité disponible: 45950 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSO203PNTMA1.pdf

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BSO203PNTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSO203PNTMA1
Numéro de pièce future	FT-BSO203PNTMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSO203PNTMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	48.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2242pF @ 15V
Puissance - Max	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	P-DSO-8
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO203PNTMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSO203PNTMA1-FT

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