maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / BSO200N03
Référence fabricant | BSO200N03 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSO200N03 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSO200N03 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 13µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | PG-DSO-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO200N03 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSO200N03-FT |
NTMFD4C87NT1G
ON Semiconductor
NTMFD4C87NT3G
ON Semiconductor
NTMFD4C88NT1G
ON Semiconductor
NTMFD4C88NT3G
ON Semiconductor
NX3020NAKV,115
Nexperia USA Inc.
2N7002BKV,115
Nexperia USA Inc.
NX1029X,115
Nexperia USA Inc.
PMDT290UCE,115
Nexperia USA Inc.
BSS84AKV,115
Nexperia USA Inc.
PMDT290UNE,115
Nexperia USA Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
M2GL060-FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG176
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
5SGSMD6N2F45I3LN
Intel
5SGXEABK3H40C2N
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154I
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-1FFG1923I
Xilinx Inc.